Resonant tunneling diodes made up of stacked self-assembled Ge/Si islands

verfasst von: O. G. Schmidt, U. Denker, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst, R. J. Haug
Abstract: Multiple layers of self-assembled Ge/Si islands are used for resonant tunneling diodes (RTDs). The extremely closely stacked Ge nanostructures form vertical channels with energetically deep thermalization layers and high Si double barriers. Two resonances are found in the RTD current-voltage curve, which are attributed to the heavy-heavy hole (hh) and heavy-light hole (lh) transition. The lh resonance shows negative differential resistance up to 50 K. With increasing magnetic field, the lh resonance slightly shifts to higher voltages.
Organisationseinheit(en): Institut für Festkörperphysik
Externe Organisation(en): Max-Planck-Institut für Festkörperforschung
Max-Planck-Institut für Intelligente Systeme (Stuttgart)
Typ: Artikel
Journal: Applied Physics Letters
Band: 77
Seiten: 4341-4343
Anzahl der Seiten: 3
ISSN: 0003-6951
Publikationsdatum: 19.12.2000
Publikationsstatus: Veröffentlicht
Peer-reviewed: Ja
ASJC Scopus Sachgebiete: Physik und Astronomie (sonstige)
Elektronische Version(en): https://doi.org/10.1063/1.1332817 (Zugang: Geschlossen)
https://doi.org/10.15488/2828 (Zugang: Offen)